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二硅化钼靶材 MoSi2靶材 磁控溅射靶材 电子束蒸发料
更新日期：2023-11-03
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二硅化钼靶材 MoSi2靶材 磁控溅射靶材 电子束蒸发料 纯度：99.5% 中文名 二硅化钼 熔 点 2030℃ 密 度 6.24g/cm3 分子量 154.13 EINECS 235-231-8 电阻率 21.5×10-6Ω·cm 标签： 北京市硅化钼靶材靶材 北京市硅化钼靶材靶材厂家
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